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研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过
利用时域有限差分(FDTD)程序计算了二维砷化镓石墨点阵柱状光子晶体的能带。结果表明, 这种二维石墨点阵柱状光子晶体在0.53~0.58的归一化频率区间有一个完全光子带隙。基于此, 构造了一种二维砷化
砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性 研究
对理论聚光比为676的菲涅耳聚光系统下单片砷化镓太阳电池及由六片砷化镓电池的串联组件的输出特性进行分析。建立三结砷化镓电池输出特性的单指数数学模型,并与实验进行了对比。理论计算与实验吻合较好,误差在7
半导体p-n结的整流效应原理.docx
使用具有1064 nm中心波长和10 ps脉冲持续时间的超快激光器，用显微镜物镜将聚焦的激光束紧紧聚焦在成核的硅铝酸锂（LAS）玻璃-陶瓷的体积内。 针对不同的激光参数测量了LAS玻璃陶瓷的非线性吸收
在Kogelnik耦合波理论的基础上,考虑光栅记录介质的色散效应的影响,研究了光折变体全息光栅对不同偏振状态的超短脉冲激光光束衍射的性质,讨论了高斯型入射脉冲激光光束的谱宽与光栅的有效衍射谱宽之比不同
用二维多时标全电磁相对论粒子模拟程序对高强度超短脉冲激光对等离子体的真空加热机制进行了模拟研究,给出了合理的物理图像.
输出能量的稳定性是超短脉冲激光装置的一个重要指标。为提升SILEX-I超短脉冲激光装置放大前级的能量稳定性,通过实验测量了放大前级的再生放大器和预放大器及其抽运光的能量稳定性,发现抽运光的能量波动对再
通过超短脉冲激光烧蚀和用酸性氟化物溶液进行化学蚀刻,可以制造出具有独特结构的硅表面。 该表面由导致硅表面准超疏水性的微/纳米结构组成。 通过微调关键Craft.io参数(即脉冲激光功率),可以制造
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