利用高功率连续CO2激光定点辐照, 对砷离子注入的硅片进行退火。实验结果表明晶格损伤得到了完全恢复, 注入砷原子的替位率与电激活率高, 还克服了激光聚焦扫描退火时引起硅片表面变形的问题。