过去,半导体在三种不同类型的激发下产生激光作用:用Ρ-n结,高压电子束或强源注入电子。1965年10月在华盛顿举办的装置会议上,国际商业机械公司的魏塞(K. Weiser)与伍兹(J. F. Woods)叙述了一种新型光激射器。