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用近红外二极管激光器测量燃煤发射
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国
TVS用于瞬间突波之抑制,与受保护器件并联。在正常工作状态下,TVS对受保护线路呈高阻抗状态,当瞬间电压超过其击穿电压时,TVS就提供一个低阻抗的路径予瞬间电流。
Application of Zener Diode in Transient Interference Suppression
本文主要讲了一下如何区分TVS瞬态抑制二极管的单双向，希望对你的学习有所帮助。
瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装，如图所示。它的最基本核心单元为芯片，芯片是由半导体硅材料扩散而制成的，芯片有单极型和双极型两种结构。 单极型瞬态二极管有一个PN结; 双极型瞬态二极管
双向触发二极管由硅NPN三层结构组成,它是一个具有对称性的半导体二极管器件,可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管
晶体二极管、二极管整流电路、滤波器、稳压器
光电二极管(也叫光敏二极管)是将光信号变成电信号的半导体器件,与光敏电阻相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优点。它的核心部分也是一个PN 结,和普通二极管相比,在结构上不同的是
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:1费米
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