利用激光器将电子加速到2 GeV

通过对半导体激光器在空间环境中辐射损伤机理的分析,得到了器件在辐射条件下的性能退化规律以及辐射过程中的退火规律。在此基础上,建立了辐射应力加速寿命实验模型,获得了故障时间、加速因子、故障概率分布函数、

单异质结激光器可以分为同型异质结(N-n或P-p)和异型异质结(N-p或P-n),图说明了能带结构情况。 图 单异质结激光器能带结构示意图 以N-n同型单异质结激光器能带为例,当两种半导体材料

双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间,以便在垂直于结平面的方向(横向)上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了GaAlAs/GaAs激射波长为0.89

日本原子能研究所即将开始研究浓缩铀的自由电子激光器。当自由电子轨道因磁场作用而偏移时,自由电子激光器即能得到激光辐射。所得的激光具有任意波长,也可以借助电子加速方法而增加输出。

激光器是一种独特的电磁辐射源。它的单色波处于电磁波谱的紫外和红外之间。它是一种相干光源,其光线可以聚焦为一个极小的光斑,因而发出的髙亮度足以在钻石上打孔。

军方正在把自由电子激光器付诸实验考查,以尽力解决过去两年来从紧张的理论研究上所提出来的问题α国防远景研究计划局已经为扩大实验裁定了两个主要的合同,而在五月中第三个合同的细节也已完成。美国的几个其他实验

研究了自由电子激光器的输出功率,指出红外波段的自由电子激光器将较紫外波段器件容易获得高功率输出;讨论了相对论电子束的脉冲宽度和共振腔透过率的选择,获得了超辐射输出的工作条件;讨论了相对论电子束能量发散

分析了光辐射与相对论电子相互作用过程中,光辐射被相对论电子放大的条件。结果表明,只有在满足位相关系和频率关系的条件下,入射辐射才有可能获得较高的净增益。

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1984年5~6月,作者有机会考察了美国旧金山及硅谷地区,并参观了规模宏大的半导体博览会,了解到美、日等国将先进的激光技术用于微电子工业,使其取得惊人进展。如80年代激光对准,激光对焦技术促进了分步重