基于平面波赝势密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明,与本征SnO2 比较,Sb 掺杂SnO2 的性质,包括能带结构、态密度、电荷密度及光学性质等均随Sb 的掺杂浓度变化。Sb 掺杂相比本征SnO2的带隙要窄,带隙随Sb 掺杂浓度的增加逐渐变窄,并且浅施主杂质能级逐渐远离导带底。Sb 掺杂改变了SnO2可成键性质,随着掺杂浓度的增加,共价性减弱,金属性增强。光学性质计算结果显示随着掺杂浓度的增加,态密度和介电函数虚部向低能方向移动,发生了明显的红移现象,这从理论上揭示了电子结构和光学性质之间的内在关系。