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以铌酸钡钠置于Nd:YAG腔内,采用温度匹配,进行了连续倍频激光的研究,获得0.53微米输出功率达瓦级水平,最高可达2.5瓦以上。
本文报道一种波导耦合集成型双台面GaAs-(GaAl)As激光器.它具有电、光注入锁模放大特性.控制二个台面的同步脉冲电流稍高于阈值时,可使激光器工作在单纵模、基横模,激射光谱半宽(?)λ约1~1.6
采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
详细介绍IPG激光器,实用;对IPG激光器的控制,注意事项都有说明
本文叙述了一种用于线偏振激光的连续可调衰减器的理论、制造方法和特性。和通常使用的衰减器不同,激光衰减器不是基于光束的吸收,而是基于斜入射时各个偏振方向在介质分界面上具有不同的反射率,所以它在高功率密度
虽然激光作用在可见光谱区内外都已经实现,但是高功率输出仅仅在几个波长上产。弥补这一弱点是一件很重要的工作。
在空气中和真空中,利用波长为1070 nm的连续(CW)激光辐照三结砷化镓(GaAs)太阳电池,通过测试激光辐照前后电池的电流-电压曲线,并利用激光诱导电流(LBIC)成像系统和X射线光电子能谱仪(X
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