松下电器产业中央研究所试制成一种晶体管结构的三极半导体激光器件,并在84年光电子展览会上展出。这是GaInAsP/InP双异质结构的器件,同时兼备隐埋异质结激光器和异质结npn双极晶体管两种功能。该器件的特点是可通过基极和集电极之间的偏压控制激光器振荡。利用外加到集电极上的电 压可调制激光。调制速度的极限由晶体管的截止频率决定。该器件可在0 °C时连续振荡。振荡波长1.3 μm。调制频率最大为2.5 GHz。若改进部分结构,进一步缩小尺寸,则器件在15 °C时连续振荡。