用Ar离子辅助制备了ZnS和MgF2薄膜,依据滤光片吸潮波长漂移的测量,MgF2膜的聚集密度大约从未轰击时的0.8上升到轰击后的0.9~0.95,实验发现,高能离子轰击(>1keV),膜层的吸收散射损耗增加,而低能离子轰击(<700eV)可以保持优良的光学性质,并显著地增加膜层的牢固度,这对于温度敏感的基底制备耐久薄膜是一个重要的应用.