由麻省沃尔瑟姆GTE实验室M. Dagenais进行的以及最近在亚利桑那州图森举行的1982年美国光学会议上作了报告的研究中,发现1毫瓦或1毫瓦以下的功率电平已足以使硫化镉中的束缚激子共振饱和,因此也足以观察低功率光学双稳性。CdS和其它直接带隙半导体中这种弱束缚激子有巨大的振子强度,比每个自由激子的分子大几个数量级。这样大的振子强度导致这类激子有极短的辐射寿命,这是双稳器件快速关断所需要的。Dagenais预计,这些结果“开辟了极低功率、极快接通和极高循环速率双稳性的道路”。