得益于独特的二维量子限制效应以及层与层之间耦合微扰的消除, 石墨烯、过渡金属硫化物MX2(M=Mo,W,Ti,Nb等; X=S,Se,Te等)、黑磷等二维层状半导体材料与其体材料相比, 在电子学、光子学等性能上都有本质的提高。以中国科学院上海光学精密机械研究所近几年的相关研究成果为主要对象, 结合国内外研究进展, 重点介绍了二维材料的制备方法、物理性质和超快非线性光学性能以及相关器件的研究进展, 并对其前景进行了展望。