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1947年12月,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎,大名鼎鼎的、影响人类文明进程的晶体管就此诞生。1956年,这三人因发明晶体管同时荣获诺贝尔物
由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上个3D三维晶体管“Tri-Gate”现在已经逐步进入大家的视线了,本文将介绍3D晶体管的优势。 3D晶体管 Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三
通过图解分析法和微变等效电路分析法，对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析，阐明了它们在不同工作状态下的变化情况，以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.
文章为大家总结了各种晶体管的检测方法大全。
本文内容包括晶体管的几种分类方法、晶体管的主要参数。
晶体管的电参数,在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。但在实际的使用中,我发现还有许多想测而无法测量到的参数,为使工作方便,我便称其为“功能参数”。本文将分别叙述
晶体管开关时间的测量方法,具体测量过程。以及实验结果。
晶体管的检测方法，可以用它来检测晶体管等极性、工作频率、瞬态电压
电子设备及仪器使用的电子元器件,一般需要在长时间连续通电的情况下工作,并且受到环境条件(温度和湿度等)的变化和各种其它因素的影响,(如是在煤矿井下恶劣的条件下工作)因此要求它必须具有高的可靠性和稳定性
扩展大家对晶体管的应用和认识,使大家对晶体管有更好的认知和对电路设计有更多的掌握
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