针对532 nm纳秒单脉冲激光辐照单晶硅、砷化镓(GaAs)太阳能电池的损伤效应,结合电池的结构和等效电路,分析了纳秒单脉冲激光对两种太阳能电池的损伤机理。结果表明,激光辐照区域的太阳能电池组成成份改变,PN结内部缺陷增多,载流子复合几率增大,导致太阳能电池输出性能下降,单晶硅材料的电池输出性能下降并不明显,而GaAs材料的电池由于砷等元素的升华,镓等金属元素的熔融再凝固过程,形成一个连接电池正负极的导电通路,导致GaAs电池不能正常工作。