质子辐照用于改善大功率快速晶闸管 的特性

aqaiqinhai 8 0 PDF 2021-02-16 18:02:56

摘要:采用3.7MeV~5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制。对质子辐照在器件中的缺陷深度进行了TRIM模拟。对通态电压VTM和关断时间tq的折衷关系进行了研究,确定了最佳的质子辐照能量。4.7MeV的质子辐照峰值缺陷位于快速晶闸管的N基区中间,可获得最佳的通态电压和关断时间的折衷。 关键词:晶闸管少子寿命质子辐照1引言 众所周知,高能电子辐照能在硅的禁带引入缺陷能级从而使硅中的少子寿命下降。目前,5~12MeV的电子辐照技术已经广泛的应用到大功率快速二极管、晶闸管、MOSFET、SIT、GTO和IGBT等电力半导体器件的少子寿命的控制中。然而,

用户评论
请输入评论内容
评分:
暂无评论