为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性, 在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜, 与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构, 可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱, 包括9对In0.2Ga0.8As (6 nm)/Ga0.18As0.82P(8 nm)量子阱, 有源区直径100 μm, 微透镜直径300 μm, 曲率半径959.81 μm, 表面粗糙度13 nm。室温下, 器件连续输出功率大于180 mW, 阈值电流200 mA, 远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4