研究了直接耦合混合应变量子阱半导体光放大器(SOA)的噪声特性。实验中测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步改善。