报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器(SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益,使之接近TE模的增益,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在150 mA的偏置下,获得了24 dB的小信号增益和1 dB的偏振灵敏度。