半导体激光泵浦的Nd:YVO

东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米

报道了一种由激光二极管抽运的Nd∶YAG/Nd∶YVO4 共轴双晶体的Cr∶YAG 被动调Q 激光器,利用这种方式相比于传统的Nd∶YAG/Cr∶YAG 激光器提高了输出激光的偏振比,在非线性频率变换

以半导体激光器抽运微型Nd:YVO4倍频激光器为光源获得碘分子在532nm处的光外差调制转移光谱信号,并对获取最佳稳频信号的实验条件进行了讨论。

用脉宽15~20ns的XeCl准分子激光脉冲泵浦可调腔长的R6G超短腔激光器,得到的输出脉宽压缩了15~20倍;输出脉宽随泵浦光斑大小及能量的变化,得到与以前不同的结果。

报道了激光二极管端面抽运Nd:YVO4半导体材料GaAs被动调Q激光器运转.测量了不同透过率输出镜条件下,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率.在抽运功率为4W时,得到了脉宽为30 ns、能量为8 μ

实验研究了高重复率、大功率半导体激光二极管阵列(LDA)侧面环绕抽运的Nd∶YAG激光放大器的放大特性、热焦距变化和热致双折射效应引起的退偏特性。偏振光经千赫兹高功率单通激光放大器,获得约3倍的光脉冲

波长锁定激光二极管在878.7nm处泵浦的高效Nd:YVO4自拉曼带内激光器

实现了LD泵浦Nd:YAG微片激光器的室温运转,当泵浦功率为340 mW时,1.06 μm激光的CW输出功率为62.5 mW,总的光-光效率为18%。本文简述了实验装置、结果,研究了微片激光器的一些输

利用KrF激光泵浦高压H_2,产生受激喇曼散射(SBS),得到时间宽被压缩的Stokes光和Anti-Stokes光,一阶Stokes光的发散角被压缩到泵浦光的1/3。研究了缓冲气体对Stokes光转

本文简单报导了用脉冲氮分子激光泵浦 POPOP 染料蒸气,并对电激励染料蒸气进行初步探讨。