暂无评论
The influences of reverse voltage stress on fluorine plasma treated AlGaN/GaN Schottky barrier diode
生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性，梅菲，付秋明，本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电场驱动等离激元色散
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率
在有效质量近似的基础上,考虑到电场的综合影响,对位于共混锌(ZB)GaN / AlGaN对称耦合量子点(SCQD)表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边(沿着生长方向)和静水压力。 数值结果表明
金刚石层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管电学特性的影响
基于有效质量近似,通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿(WZ)GaN / AlGaN量子阱(QW)中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明,随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增
通过许多实验发现,邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的,这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是,由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式,因此对这种实验
600°C退火的AlGaN / GaN异质结构的无金欧姆接触的微观结构和物理机理
基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
暂无评论