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LTC7820是一款固定转换比例、高电压、高功率开关电容电源控制芯片,可为高功率、非隔离中间总线应用提供具有故障保护功能的小巧、高性价比解决方案。 LTC7820的特性包括: 薄型外形,高
外围电路简单高效率的LED电源控制IC,使用范围非常广泛例如:球泡灯、筒灯、灯管等等LED照明产品。
利用Zn扩散形成非吸收窗口的技术, 制备了大功率660 nm半导体激光器。在芯片窗口区用选择性扩Zn方式, 使得窗口区有源层发光波长蓝移了61 nm, 有效降低了腔面的光吸收。制备的激光器芯片有源区条
分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素.利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器.无铝列阵激光器的峰值波长为940.2 nm,半峰宽为2 nm,连续输出功率为10 W,斜率效率为1.09
激光合束是实现高功率半导体激光输出的主要途径,常规激光合束提高功率时合束激光的光束质量变差。外腔反馈光谱合束技术利用半导体激光振荡与外部光学系统相结合的方式合束,在提高激光功率的同时,合束激光的光束质
1064 nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性, 在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064 nm DBR半导体激光器, 利用
电子综合研究所激光研究室研制成功振荡效率高达2.9%的自动预电离型放电激励KeCl准分子激光器。准分子激光器应用最为重要的是要求激光装置具有高度的可靠性。最近发展的准分子激光技术,大幅度改善了以往装置
电子技术综合研究所和日本电气公司共同研究制成了在振荡输出和效率方面均超过YAG激光器的GGG激光器。与YAG激光器一样,这种激光器釆用了掺杂钕作为激活离子的Gd3Ga5O12(钆鎵柘榴石,简称GGG)
1972年由作者等人开始了借助KDP同位素使高功率、高重复率振荡型的Nd:YAG激光高效率地发生髙次谐波的研究,此后,这项研究得到发展,在紫外区域用对直到~1700埃透明的KB5O84H2O(KB5)
报导了用1.7兆瓦放电激励XeCl准分子激光器泵浦的19种染料的研究结果。染料激光辐射覆盖了从340亳微米到710亳微米宽的波长范围。对三联苯显示出有效的激光作用。最高能量转换效率在可见区域超过40%
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