808 nm波长光纤耦合高功率半导体激光器

多年来,半导体激光器的实际直接调制带宽普遍承认在较低的GHz范围或者略低于2 GHz。然而,许多应用可能使用频率超过10 GHz范围的直接调制。宽带长途通信和高速计算机通信需有每秒几Gbit速率的脉冲

半导体激光器的SPICE模型半导体激半导体激光器的SPICE模型光器的SPICE模型半导体激光器的SPICE模型

在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表

目前半导体激光器的发展有三个主要动向,第一,研制与低损耗、低色散光纤相适应的长波长(1~1.5 μm)激光器;第二,研制各种条形结构,以获得低阈值、线性好、单模长寿命激光器件;第三,设计各种谐振腔,改

为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到S

这是一篇关于高功率半导体激光器列阵封装引入应变的测量的论文。

半导体激光器由于体积小巧,电光转换效率高、可靠性高以及寿命长的显著特点,可被用来抽运固体/光纤激光器,也可直接用于材料处理如焊接、切割、表面处理等。以半导体激光器为抽运源的固体/光纤激光器广泛应用于工

高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金

研究分析了980 nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚

商用的半导体激光器由于其长期漂移大,不能满足单离子光频标中离子的激光冷却和长时间探测的目的。因此,采用了传输腔稳频技术减小商用397 nm半导体激光器的长期漂移。利用经过Pound-Drever-Ha