用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12 ns和0.4 ns。