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在半导体激光阵列侧面泵浦的Nd:YLF激光器中,利用声光调制器控制激光单向运转,消除空间烧孔效应,获得单纵模输出,通过预激光调Q获得脉宽为50 ns,能量为1.2 mJ的单纵模输出,理论分析的结果在实
采用平凹短腔及V型折叠腔,研究了激光二极管端面抽运的Nd:Gd0.42Y0.58VO4激光器1.06mm及倍频532nm的输出特性。在输入抽运功率为11.05 W时,获得了1.06mm的最大平均输出功
报道了一种新型激光二极管(LD)端面抽运Nd∶GdVO4微片激光器,测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系,激光阈值功率为83 mW,在2 W的抽运功率下得到860 mW的1.064 μm基横模连续激
报道了一种声光调Q激光二极管抽运Nd:YVO4晶体腔外五倍频213 nm深紫外全固态激光器。实验上分别利用KTP和两块BBO晶体产生532 nm倍频绿光,266 nm紫外四倍频以及基波与四倍频的混频,
集成光学研究者们已经在光纤系统元件的集成化方面,向前迈进了两大步。国际Rockwell微电子研究和开发中心的一个研究小组,用集成法制造了具有金属半导体场效应晶体管(MESFET)发射器的量子阱半导体激
对激光二极管(LD)抽运固体激光器中大功率线阵激光二极管三向对称侧面抽运的漫反射腔结构进行了研究。激光器使用Nd:YAG作为激光晶体,电光器件材料为KDP晶体,漫反射体为陶瓷材料。实验表明,抽运光的
报道了激光二极管(LD)抽运的单块非平面环形腔可调谐单频激光器的实验结果。采用LD抽运单块非平面环形腔Nd∶YAG激光晶体,分别获得了1080 mW和580 mW的1064 nm和1319 nm激光输
对高平均功率输出的二极管侧面抽运声光调Q腔内倍频Nd:YAG固体激光器进行了研究,当采用35个15W的连续激光二极管阵列抽运时,在重复频率为10kHz下,实现了最大平均功率为56W的532nm倍频激光
介绍了适合高光束质量高平均功率的薄片型DPL原理,给出了设计原则并进行了实验.激光介质采用Nd:YAG,厚1 mm,增益区面积5 mm×7 mm,Nd掺杂浓度1.4%.用自行研制的CW1 kW铜微通道
在准连续激光二极管(LD)抽运的激光晶体中存在升降温的瞬态过程。为解决准连续LD端面抽运激光晶体产生的热效应问题,基于热传导方程,采用特征函数法和常数变异法得到了准连续超高斯光束端面抽运Nd:YAG棒
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