对自倍频(SFD)效应在半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模激光器中抑制调Q倾向的机制进行了详细的理论研究和数值模拟。推导了含有自倍频效应的SESAM锁模激光器中非线性损耗的表达式, 建立了描述激光器内脉冲能量变化的方程组。用微扰法分析了锁模激光器的稳定性条件, 证明了适当强度的自倍频效应能够抑制激光器的调Q倾向, 降低稳定锁模的阈值。用计算机仿真模拟了锁模激光器在有无自倍频效应时的特征, 验证了理论推导的结论。