如今,除了逻辑元件和其他专用电路元件外,典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是,要将浮栅 (FG) 的制造工艺对逻辑门性能的影响降到(图 1)。为此,制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层,这必然会增加其复杂性和成本。在 《28nm 的节点, 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极(HKMG),由于 HKMG 的热预算有限,将导致工艺集成更为复杂。 一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的? 图 1:带闪存(左)和 STT MRAM(右)的 M