在LiNbO3晶体中掺入ZnO,生长ZnO:LiNbO3晶体,当ZnO的掺入浓度高于6mol%时,晶体的抗光损伤能力提高两个数量级,与高掺MgO(>4.6mol%)相似。Zn:LiNbO3的倍频转换效率可达50%左右,高于Mg:LiNbO3。本文对Zn:LiNbO3晶体中Zn2+离子占位以及抗光损伤增强机理进行了初步探讨。