研究了有外腔的GaInPAs/InP半导体激光器,在1.3微米波段中连续可调谐振荡的条件。得到了输出功率为4亳瓦的可调谐窄带振荡条件。并指出:在最大振荡功率水平一半处,可调谐范围为24亳微米。