讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd/m2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区,表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属绝缘层半导体(MIS)隧道发光结.利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释.