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极紫外光刻(EUVL)是最有可能实现22 nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外(EUV)光刻系统使用波长为13.5 nm,在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而,在极紫外光辐照下的光学元件,薄膜
极紫外(EUV)光刻机中光学元件的污染和采用的污染控制策略是影响光刻机性能的重要因素,其中污染主要包括光学表面碳沉积和光学表面氧化,污染控制技术包括智能气体混合技术、保护层技术和污染物清洁技术。着重论
极紫外光刻系统中的碳污染会降低多层膜反射率,在保证光学元件性能的前提下,如何选择碳清洗工艺是一项重要课题。通过对不同清洗工艺的原理分析,揭示了不同工艺对多层膜反射率的影响主要体现在膜层氧化、刻蚀及表面
极紫外光刻
极紫外光刻投影系统中高反膜厚度一般约300 nm,远大于13.5 nm的工作波长,光能并不能完全穿透膜层入射到基底,从而引入数倍于波长的额外光程差,降低系统成像质量。从能量调制的角度提出了一种基于能量
为了实现极紫外光刻(EUVL)投影物镜光学元件均方根(RMS)0.2~0.3 nm的面形检测精度要求,研究了超高精度光学元件检测方法。采用误差分解控制方法,设计了非球面补偿器检测系统。补偿器由提供透射
极紫外光刻研制进展
将平面对称光学系统的像差理论应用于极紫外(XUV)光栅仪器的评价函数,可以得到评价函数关于光学参量的解析表达式。应用合作型协同进化遗传算法来解决多参量评价函数的优化问题,建立了优化程序。应用该程序对X
基于激光非线性传输和频率转换理论, 研究了频率转换中基频光与三倍频光相位关系对光束近场带来的影响。结果表明, 三倍频光近场对比度急剧增加对应的基频光B积分比频率转换前基频光近场对比度急剧增加对应的基频
采用红外-紫外光学双共振技术,首次测得六种碰撞伙伴对振动激发C6F6分子的脱活速率常数,例如,Ko2=(8.8±0.4)×10~3sec~(-1)Torr~(-1),Koo2=(7.1±0.8)×10
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