针对980 nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构。垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs,改善了效率随温度升高而降低的问题,同时又能满足长寿命激光工作的需要。周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益,降低了阈值,提高了输出功率。制作出新结构的集成单元数为4×4,单元直径30 μm的阵列器件,工作电流为5.88 A时连续激光功率达到2 W;窄脉冲宽度1 μs,重复频率100 Hz,工作电流60 A时输出功率达到30 W,且均未达到饱和状态。此阵列器件在工作电流为1~4 A时发散角半宽均小于16°。利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试,推算出30 °C的