已应用局部阳极氧化技术,使用带有导电探针的原子力显微镜(AFM)在超导NbN薄膜上产生氧化的纳米线。 AFM表面形貌表明,在一定的相对湿度和探针扫描速率下,氧化的纳米线的宽度和高度都随着施加的探针电压的增加而增加。 测量了具有和不具有氧化的纳米线交叉的NbN微桥的电阻,结果表明高度大于8nm的氧化的纳米线被完全氧化。 还获得并分析了氧化线小于8nm的NbN微桥的RT和IV特性。 讨论了使用这种技术制造设备的方法,例如超导单光子探测器和超导热电子辐射热计混合器。 ? 2009 IOP出版有限公司