目前,使用微微秒脉宽的强脉冲激光辐射的离子注入层退火获有重要意义。这不仅取决于与激光退火的物理机理的暴露有关的问题(特别是,非热过程的作用),而且还取决于超短激光脉冲作用于半导体的实际应用新的可能性。