4H SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜, 通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性。利用编程计算得到Al2O3和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0 n

反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。

磁敏二极管特性 磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在P区与N区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区——R区，其基本结构如图1所示。该管采

肖特基二极管的封装采用TO-220.TO-3P封装形式和表面封装形式。 在TO-220封装形式中,据其内部结构又可分为单管和对管两种,对管又可分为共阴对管、共阳对管和串联对管三种形式。如图所示。

ROHM开发的最新「GMD2」系列产品,采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术,实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸,对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品,无疑是最佳选择。

双向触发二极管由硅NPN三层结构组成,它是一个具有对称性的半导体二极管器件,可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管

晶体二极管、二极管整流电路、滤波器、稳压器

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:1费米

光电二极管(也叫光敏二极管)是将光信号变成电信号的半导体器件,与光敏电阻相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优点。它的核心部分也是一个PN 结,和普通二极管相比,在结构上不同的是

处理瞬时脉冲对元件损害的最好办法是将瞬时电流从感应元件引开。