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Optical Performance of N-Face AlGaN Ultraviolet Light Emitting Diodes
We report on the carrier dynamic and electronic structure investigations on AlGaN-based deep-ultravi
在使用20-60 nm的铝(Al)纳米颗粒(NPs)的基于AlGaN的日盲紫外(SB-UV)检测器中实现了增强的光谱响应。 具有60 nm Al NPs的检测器(约288 nm)的峰值响应率是在5-V
对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300 μm×
GaN基半导体材料研究进展 有关于半导体新型材料方面的研究
采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并
分别通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)分析了AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和表面粗糙度,并使用AFM研究了二维电子气(2DEG)中的迁移率限制机制。考虑到最重要的
Enhancement of surface emission in deep ultraviolet AlGaN-based light emitting diodes with staggered
0 引言 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差
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