提出了一种激光与微电子机械加工系统(MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点,并且可以实现对,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。