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GaAs / InGaAs / GaAs纳米线核-多壳量子阱异质结构的制备和光学性质
从理论和实验上介绍了一种基于相关光子的多模式空间纠缠特性新型定标方法,实现了光电倍增管的量子效率绝对定标。该方法利用355 nm 连续紫外激光器抽运BBO 非线性晶体,不仅制备了一对710 nm/71
GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺
据休斯公司马里布实验室的研究者德沙策(L. Deshazer)报道,经过三年半的研究后,休斯研究人员已经成功地把YAG:Nd3+的量子效率从60%左右提高到85%。量子效率是离子被泵浦到激光上能级,而
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标.本文详细介绍了目前针对Ga N基LED内量子效率的多种评测方法,包括:变温光致荧光方法、变激发功率光致荧光方法、变温电致荧光方法、效率-电流曲线拟合方法,
为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧
NURBS-UTD方法的反射寻迹以及亮区场求解，王楠，张玉，NURBS－UTD方法是近年来兴起的高频电磁计算方法，它在传统UTD方法基础上引入了计算机辅助设计中的比较成熟NURBS建模技术，弥补了UT
量子蚁群算法的小论文，设计新的思路求解传统TSP问题，并对结果进行了验证对比
大家都知道光电开关,所谓的光电开关即是光电接近开关的简称,它是利用被检测物对光束的遮挡或反射,由同步回路选通电路,从而检测物体有无的。物体不限于金属,所有能反射光线的物体均可被检测。光电开关将输入电流
InGaN量子点(QD)因其应变小且量子限制的Stark效应较弱而有望用于绿色发光二极管和激光二极管。 但是,其较小的载流子俘获截面仍然限制了其内部量子效率(IQE)。 基于温度依赖性和时间分辨的光致
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