由于美国GCA公司集成电路系统组采用4600 L型图形发生器,使激光进一步“侵入”半导体生产工艺。这种系统弥补了紫外弧光灯和电子束系统的缺陷,可望比紫外弧光灯速度快得多,而比电子束系统便宜得多。
本文报道一台新颖的双通道放电泵浦的准分子激光器,采用折叠式光路构成一个较长的激光腔(2m),同时适当拉长放电时间,获得了150ns、150mJ的激光输出。
以准分子激光在软性材料上制作图案
报道了使用XeCl准分子激光(308 nm)照射兔前列腺标本。观察了在不同频率、不同介质等条件下对离体免前列腺组织的消融效果,测得损伤阈值为400 mJ/cm2。结果表明,准分子激光具有消融效果高、对
用准分子激光光刻的下一代集成电路
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Laser oscillations of 11 vibrational bands of the XeCl excimer at about 308 nm are obtained from a s
采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层,实现了碲元素在硅中的N型掺杂,随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理,制备了碲掺杂硅单晶材料。利用该材料研制出了在室温下具有高响应的碲掺杂硅探测器。在-
本文报道XeCl准分子激光器泵浦若丹明640乙醇溶液可调激光染料的实验结果,调谐激光线宽为0.011nm,调谐范围为603到646nm.
而采用准分子激光剥离设备去除蓝宝石则是一种有效的工艺手段,在新一代高亮LED芯片的制备中,将会成为不可或缺的关键技术。