采用脉冲测试电路,测试了半绝缘GaAs光导开关(PCSS)在锁定工作模式下的偏置电场及触发光能阈值。测试结果表明,在一定光能范围内,电场阈值随光能阈值的增大类似于指数关系减小;激励光能在数10 μJ下,半绝缘光导开关偏置电场阈值为9 kV/cm。当激励光脉冲能量大于0.78 mJ时,光导开关在不同偏压下都不能工作于锁定工作模式而进入线性模式。依据实验测试结果,提出了高倍增偶极畴模型,给出了半绝缘GaAs光导开关的电场与光能阈值的计算结果,在实验误差范围内,理论分析与实验测试结果符合。