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摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和
摘要:以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结
介绍低噪声宽带放大器，方案可行性研究 是关于电子设计大赛题目的讨论
ADS设计低噪声放大器的设计与制作.pdf详细的操作步骤！
本文结合雷达接收机中LNA的指标,通过设计电路结构提高抑制度,与后级的镜像抑制混频器连接达到了较高的镜像抑制比,提高了整个雷达接收机对镜像信号的抑制度。
基于ADS的4+GHz低噪声放大器设计
基于ATF54143平衡式低噪声放大器的设计
低噪声放大器的增益和噪声系数直接存在着矛盾,本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管设计出一款工作于870~880 MHz的双平衡低噪声放大器。设计采用从自顶到底的设计方式展开设计,并进行了分块功能
本文提出了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用了新型输入匹配以及感性级间匹配结构。为了降低芯片面积,两个LC 并联网络代替了传统的大电感。
低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)广泛应用于射电天文、卫星接收、雷达通信等收信机灵敏度要求较高的领域,主要作用是放大所接收的微弱信号、降低噪声、使系统解调出所需的信息数据。
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