紫外(UV)光探测器

在燃烧监视等工业应用场合,需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器,在此光谱范围内,火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射(例如黑体辐射)要强得多。通常在波长肛250~400 nm的紫外光谱范围内,火焰的光发射要远远大于来自背景的热辐射。 硅基光电二极管在紫外光谱范围内一般来说量子效率偏低,然而,从成本、速度及信噪比等角度考虑,迫切需要将探测器和电子电路在硅基工艺下单片集成。目前已采用双极工艺实现了如图1所示结构的集成UV传感器[41]。浅P卜和N+注入区形成的耗尽区非常接近芯片表面,注入光子在这个区域里被吸收并产生光生载流子。注入N+和P+区域的深度并不是标准的,为了在同一晶圆