作为釆用III-V族化合物半导体晶片制作光电器件时费用上最上算的一种方法,即金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)法,正在加入半导体生产技术的主要行列。MOCVD法除有控制性好及生产率高等优点外,还能比现在流行的液相外延法制作出更大的晶片。虽然分子束外延法控制性更好,但其设备费用较高,产量也较低。