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从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型,并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为,避开了传统方法中处处都要涉及到的体积参量,解释了传统的二层模型所不能解释的多量子阱(MQW)激光器中多量子阱
实验利用光注入多量子阱半导体激光器产生的载流子消耗和带间载流子吸收产生的交叉增益调制效应,实现波长转换,转换光的光强变化幅度与偏置电流有关.通过调节偏置电流的大小,能使转换光与注入信号光在同向和反向间
松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术,并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实
日本将制造用于光网络的量子点激光器
十五年以前,人们已经明白可以在近可见光谱范围获得受激发射放大的器件。自那以后,关于将这种器件推广到更短波长的X射线波段的一些途径已有不少讨论,已提出若干不同的途径。不过它们的要求和限制仍有很多不肯定之
自己做的计算器,支持一下啦。C#初学者自己制作
因此可以看出量子计算对经典计算做了极大的扩充,经典计算是一种特殊的量子计算。
有关于量子通信与量子计算计算的论文写作,仅供参考
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150 mW,基
日本工业技术光电子技术综合研究所与三菱化成公司合作,研制成杂散电容低达0.04 pF掩埋横结型多重量子阱半导体激光器(TJ-BH-MQW-LD)。采用横结型结构能将场效应晶体管等集成在同一芯片上,低杂
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