ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著的特点是在紫外波段存在受激发射。利用脉冲激光沉积法(PLD)在氧气氛中烧蚀锌靶制备了纳米晶氧化锌薄膜,衬底为石英玻璃,晶粒尺寸约为28~35 nm。X射线衍射(XRD)结果和光致发光(PL)光谱的测量表明,当衬底温度在100~250 °C范围内时,所获得的ZnO薄膜具有c轴的择优取向,所有样品的强紫外发射中心均在378~385 nm范围内,深能级发射中心约518~558 nm,衬底温度为200 °C时,得到了单一的紫外光发射(没有深能级发光)。这归因于其较高的结晶质量。