就不同的光电子应用来说,由半导体增益介质和一个扩展腔构成的复合腔激光器具有几个引人注目的特性。对于相干通信来说,这种激光器可以作为连续波、单频和窄线宽光源,而在高数字速率通信和信号处理应用中,这种激光
据日本电气公司透露,该公司所属的中心研究室已于1970年10月中旬制成室温连续运转的双异结半导体激光器。目前输出功率约为几十毫瓦,估计将来可以达到100毫瓦。效率在到2%之间,但有可能增加一个数量级。
目前半导体激光器的发展有三个主要动向,第一,研制与低损耗、低色散光纤相适应的长波长(1~1.5 μm)激光器;第二,研制各种条形结构,以获得低阈值、线性好、单模长寿命激光器件;第三,设计各种谐振腔,改
多年来,半导体激光器的实际直接调制带宽普遍承认在较低的GHz范围或者略低于2 GHz。然而,许多应用可能使用频率超过10 GHz范围的直接调制。宽带长途通信和高速计算机通信需有每秒几Gbit速率的脉冲
绍了半导体激光器及其使用要点
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半导体激光器与单模光纤的耦合研究进展及耦合效率
在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表
当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时,可以辐射周期为几个亳微秒的很短(0.1毫微秒)的强(0.1瓦)脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行
通过设计极低损耗808 nm半导体激光芯片外延结构, 实现腔内损耗小于0.5 cm-1。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808 nm巴条芯片, 巴条的填充因子为85%, 包含60个发光点, 发光区
