采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。