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南卡罗来纳州立大学和桑迪亚国家实验室已用应变层超晶格制作半导体二极管激光器,其发射波 长约为1 μm。据研制人员说,超晶格方法可以提高二极管激光器设计的灵活性,可以使用与衬底非晶格匹配的化合物。虽然对
自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器
提出了一种基于相移光栅(PSG)的多波长掺铒光纤激光器的结构。在该结构中,使用双相移点相移光栅作为波长选择器件,该光栅是在普通布拉格光栅上插入两个相移点而形成的。以980 nm的激光二极管(LD)作为
半导体激光器光束传输特性研究，详细描述了半导体激光器工作原理与结构，以及输出光束特性描述方法！
实现了一种新的稳频方案。通过对饱和吸收信号进行检测,得到半导体激光器频率的变化量,利用温度粗调、电流细调的方法对半导体激光器进行稳频,根据此思路设计了基于单片机控制的稳频系统的硬件电路及软件辅助锁频程
当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时,可以辐射周期为几个亳微秒的很短(0.1毫微秒)的强(0.1瓦)脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行
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在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表
提出并分析验证了一种基于半导体激光器注入锁定实现的全光时钟提取方案。方案中,借助半导体激光器的注入锁定过程,可以将光归零(RZ)码信号中的载波和一个时钟分量依次锁定两个半导体激光器获得光场的锁相输出,
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