脉冲激光测距机中钟脉冲宽度及相位对测量结果的影响

分析了半导体硅光敏元件的瞬态光电效应,籍助电容充放电法测量脉冲激光能量。研制了相应的微能量自动监测器,可探测0.1微焦耳激光能量。

超短脉冲激光的新进展

本文初步探讨了脉冲激光焊接中,焊点熔池出现的一些熔合不良的缺陷,分析了缺陷产生的原因,并研究了可能避免缺陷产生的方法.

采用脉冲激光沉积法在透明导电(ITO)玻璃衬底上制备(Bi, Er)2Ti2O7介电薄膜。当沉积温度范围控制在500~600 °C时, 均可获得纯度较高的Bi2Ti2O7薄膜。常温下, Bi2Ti2O

采用纳秒脉冲激光对Al2O3陶瓷进行激光铣削实验。使用响应面二阶回归模型建立铣削工艺参数与表面粗糙度、铣削深度之间的变化关系,通过灵敏度分析方法识别影响表面粗糙度和铣削深度的关键工艺参数;以最小化表面

早期设计的激光器样机的平均输出为1千瓦,但更大型的器件将有可能运转于平均输出达100千瓦处,比现有的这类激光器的输出超出一千倍。

采用脉冲激光溅射沉积技术在LaAlO3(001)衬底上制备了一系列不同厚度(40~240 nm)的La0.67Ba0.33MnO3薄膜。通过控制薄膜的厚度,获得了不同应变态的La0.67Ba0.33M

将脉冲激光作为加热光引入光热失调测量技术中,提出了脉冲激光光热失调测量技术,介绍了其基本原理,分析了脉冲激光光热失调测量技术用于测量光学薄膜微弱吸收的可行性。实验以532 nm的高反射光学薄膜为样品,

采用脉冲激光沉积(PLD)法在倾斜Al2O3(0001)衬底上制备了Bi2Sr2Co2Oδ(BSCO)系列热电薄膜, 发现该类薄膜中有激光感生热电电压(LITV)效应。X射线衍射(XRD)谱显示Bi2

采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同激光通量下烧蚀CNx靶,在单晶硅基底上沉积CNx薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线光电子谱仪(XPS)等对薄膜的形貌、化学成分和微观结