基于有效质量近似,在ZB GaN / AlGaN量子阱(QW)中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂质态的竞争效应。 数值结果表明,对于任何激光场,电场都会使供体结合能相对于QW中心呈不对称分布。 此外,当激光场较弱时,电场对供体结合能的影响很明显。 然而,电场效应对具有强激光场的ZB GaN / AlGaN QW中施主结合能的变化不敏感。