CMOS带隙基准电压源的设计

基于UMC 0.25 μm BCD 工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿

摘要:随着深亚微米CMOS工艺的发展,尺寸按比例不断缩小,对芯片面积的挑战越来越严重,双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此,本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案

传统的带隙电压基准源面积大、功耗大、不适应低功耗小面积的要求。本文立足于低功耗、小面积、利用工作于弱反型区晶体管的特点,对传统的带隙电压基准源做出改进,设计了一款最大消耗380 nA电流的电压基准源,

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基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电

基准IC REF3020 为 AD、 运算放大器提供基准源

为什么基准电压源远不如数据手册上保证的精度? 很多情况下是因为使用不当。 如果基准电压源使用不当,就会带来麻烦。 有三种常见的使用不当可能会导致这样的问题: 裕量不足、负载不正确和反向输出电流。 前两

基准电压源电路有许多方法可以设计基准电压源IC，而每种方法都有特定的优点和缺点。基于齐纳二极管的基准电压源深埋齐纳型基准电压源是一种相对简单的设计。齐纳（或雪崩）二极管具有可预测的反向电压，该电压具有

MAX9679A VCOM基准电压源

TL431 基准电压源.pdf