美国麻省瓦尔珊的GTE实验室的研究人员,用直接带隙的硫化镉半导体器件,以异常低的功率要求,演示了光学双稳定性。初步测量表明运转功率小于1毫瓦,很低的饱和强度(300瓦/厘米2),和根据已知的激子弛豫时间预期开关恢复时间为500微微秒。